判斷題熱氧化過程中是硅向二氧化硅外表面運動，在二氧化硅表面與氧化劑反應生成二氧化硅。
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為提高CMOS集成電路的抗自鎖能力，可在版圖設計上采取哪些措施？
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在晶體材料中，對于長程有序的原子模式最基本的實體就是（）。
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由硅片生產的半導體產品，又被稱為（）。
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晶體管的名字取自于（）和（）兩詞。
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試用電導率為102/（Ω·cm），厚1μm的材料設計1kΩ的電阻，設電阻寬1μm，求其長。
題型：問答題
半導體工藝技術中，器件互連材料通常包括（）等。
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從設計的觀點出發(fā)，版圖設計規(guī)則應包括哪些部分？
題型：問答題
設計一個CMOS差分放大器電路，寫出其對應的SPICE描述語句并作差模電流-電壓特性分析。
題型：問答題