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判斷題有限表面源擴散與離子注入的雜質(zhì)分布都滿足高斯函數(shù)，兩種摻雜工藝雜質(zhì)最高濃度位置都在硅片表面。

1.判斷題離子注入工藝中被摻雜的材料稱為靶，靶材料可以是晶體，也可以是非晶體，非晶靶也稱為無定形靶。

2.判斷題熱擴散摻雜的工藝可以一步實現(xiàn)。

3.判斷題替位式擴散就是替位雜質(zhì)和鄰近晶格位置上的原子互換。

4.判斷題雜質(zhì)在硅晶體中的擴散機制主要有兩種：間隙式擴散、替位式擴散。其中間隙式擴散比替位式擴散困難。

5.判斷題基區(qū)主擴散屬于有限表面源擴散。