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判斷題熱擴(kuò)散摻雜的工藝可以一步實現(xiàn)。

1.判斷題替位式擴(kuò)散就是替位雜質(zhì)和鄰近晶格位置上的原子互換。

2.判斷題雜質(zhì)在硅晶體中的擴(kuò)散機(jī)制主要有兩種：間隙式擴(kuò)散、替位式擴(kuò)散。其中間隙式擴(kuò)散比替位式擴(kuò)散困難。

3.判斷題基區(qū)主擴(kuò)散屬于有限表面源擴(kuò)散。

4.判斷題預(yù)淀積擴(kuò)散是為了提供足夠的雜質(zhì)總量，而再分布擴(kuò)散是為了達(dá)到需要的擴(kuò)散深度并同時在硅的表面獲得一定厚度的氧化層。

5.判斷題二氧化硅膜能有效的對擴(kuò)散雜質(zhì)起掩蔽作用的基本條件是雜質(zhì)在硅中的擴(kuò)散系數(shù)大于在二氧化硅中的擴(kuò)散系數(shù)。