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判斷題制備光刻掩膜版，希望黑白區(qū)域間的過渡區(qū)越大越好。

1.判斷題在紫外光曝光、X射線曝光、電子束曝光技術中可實現(xiàn)直寫式曝光不需要掩模版的是X射線曝光技術。

2.判斷題通常稱在低阻襯底材料上生長高阻外延層的工藝為正向外延，反之稱為反向外延。

3.判斷題PSG高溫回流需要的溫度要比BPSG高。

4.判斷題LPCVD多晶硅和氮化硅等薄膜易形成保形覆蓋，在低溫APCVD中，非保形覆蓋一般比較常見。

5.判斷題相同摻雜濃度下，多晶硅的電阻率比單晶硅的電阻率高得多。