判斷題LPCVD多晶硅和氮化硅等薄膜易形成保形覆蓋，在低溫APCVD中，非保形覆蓋一般比較常見。
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晶體管的名字取自于（）和（）兩詞。
題型：多項選擇題
利用2μm×6μm的多晶硅柵極覆蓋在4μm×12μm薄氧化層的正中間構(gòu)成一個MOS管，已知Cox＝5×10-4pF/μm2，估算柵極電容。
題型：問答題
什么是無源電阻？什么是有源電阻？舉例說明。
題型：問答題
版圖DRC、ERC和LVS的意義是什么？
題型：問答題
圖a中M1和M2為某CMOS工藝中的兩個NMOS管，M1的W/L＝12μm/6μm，M2的W/L＝4μm/2μm，其它物理參數(shù)及偏置均相同。圖b中給出了M1的漏極電流Id1隨Vgs的變化曲線，請畫出Id2的大致變化，并說明Id1和Id2有什么不同，并解釋不同的主要原因。
題型：問答題
在圖中，若所有的晶體管都工作在飽和區(qū)，求M4的漏電流。
題型：問答題
20世紀上半葉對半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)量展做出貢獻的4種不同產(chǎn)業(yè)主要是（）。
題型：多項選擇題
目前集成電路版圖設(shè)計的主流工具有哪些？
題型：問答題
設(shè)計一個CMOS差分放大器電路，寫出其對應(yīng)的SPICE描述語句并作差模電流-電壓特性分析。
題型：問答題
版圖設(shè)計的基本前提是什么？
題型：問答題