美女在宾馆啪啪国产精品,久久人人爽人人爽人人片aV免费,欧洲精品视频在线观看

問答題 磷化鎵的禁帶寬度Eg=2.26eV，相對介電常數(shù)ε_r=11.1，空穴的有效質(zhì)量m_p^*=0.86m₀，m₀為電子的慣性質(zhì)量，求
①受主雜質(zhì)電離能；
②受主束縛的空穴的基態(tài)軌道半徑。

1.問答題 銻化銦的禁帶寬度Eg=0.18eV，相對介電常數(shù)ε_r=17，電子的有效質(zhì)量m_n^*=0.015m₀， m₀為電子的慣性質(zhì)量，求
①施主雜質(zhì)的電離能
②施主的弱束縛電子基態(tài)軌道半徑。

2.問答題舉例說明雜質(zhì)補(bǔ)償作用。

3.問答題以Ga摻入Ge中為例，說明什么是受主雜質(zhì)、受主雜質(zhì)電離過程和p型半導(dǎo)體。

4.問答題以As摻入Ge中為例，說明什么是施主雜質(zhì)、施主雜質(zhì)電離過程和n型半導(dǎo)體。

5.問答題實際半導(dǎo)體與理想半導(dǎo)體間的主要區(qū)別是什么？