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問答題簡述Ge、Si和GaAS的能帶結(jié)構(gòu)的主要特征。

參考答案：

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1.問答題試指出空穴的主要特征。

參考答案：

空穴是未被電子占據(jù)的空量子態(tài)，被用來描述半滿帶中的大量電子的集體運動狀態(tài)，是準(zhǔn)粒子。主要特征如下：

2.問答題試定性說明Ge、Si的禁帶寬度具有負(fù)溫度系數(shù)的原因。

參考答案：電子的共有化運動導(dǎo)致孤立原子的能級形成能帶，即允帶和禁帶。溫度升高，則電子的共有化運動加劇，導(dǎo)致允帶進(jìn)一步分裂、變寬；允...

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3.問答題什么叫本征激發(fā)？溫度越高，本征激發(fā)的載流子越多，為什么？試定性說明之。

參考答案：在一定溫度下，價帶電子獲得足夠的能量（≥Eg）被激發(fā)到導(dǎo)帶成為導(dǎo)電電子的過程就是本征激發(fā)。其結(jié)果是在半導(dǎo)體中出現(xiàn)成...

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4.問答題證明：對于能帶中的電子，K狀態(tài)和-K狀態(tài)的電子速度大小相等，方向相反。即：v（k）= －v（－k），并解釋為什么無外場時，晶體總電流等于零。

參考答案：

5.問答題室溫下，本征鍺的電阻率為47Ω·cm，試求本征載流子濃度。若摻入銻雜質(zhì)，使每10⁶個鍺原子中有一個雜質(zhì)原子，計算室溫下電子濃度和空穴濃度。設(shè)雜質(zhì)全部電離。鍺原子的濃度為4.4×10²²cm^-3，試求該摻雜鍺材料的電阻率。設(shè)μ_n=3600cm²/V·s，且認(rèn)為不隨摻雜而變化。n_i=2.5×10¹³cm³。

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