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問(wèn)答題什么叫本征激發(fā)？溫度越高，本征激發(fā)的載流子越多，為什么？試定性說(shuō)明之。

參考答案： 在一定溫度下，價(jià)帶電子獲得足夠的能量（≥Eg）被激發(fā)到導(dǎo)帶成為導(dǎo)電電子的過(guò)程就是本征激發(fā)。其結(jié)果是在半導(dǎo)體中出現(xiàn)成...

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1.問(wèn)答題證明：對(duì)于能帶中的電子，K狀態(tài)和-K狀態(tài)的電子速度大小相等，方向相反。即：v（k）= －v（－k），并解釋為什么無(wú)外場(chǎng)時(shí)，晶體總電流等于零。

2.問(wèn)答題室溫下，本征鍺的電阻率為47Ω·cm，試求本征載流子濃度。若摻入銻雜質(zhì)，使每10⁶個(gè)鍺原子中有一個(gè)雜質(zhì)原子，計(jì)算室溫下電子濃度和空穴濃度。設(shè)雜質(zhì)全部電離。鍺原子的濃度為4.4×10²²cm^-3，試求該摻雜鍺材料的電阻率。設(shè)μ_n=3600cm²/V·s，且認(rèn)為不隨摻雜而變化。n_i=2.5×10¹³cm³。

參考答案：

3.問(wèn)答題現(xiàn)有三塊半導(dǎo)體硅材料，已知室溫下（300K）它們的空穴濃度分別為：p₀₁=2.25×10¹⁶cm^-3，p₀₂=1.5×10¹⁰cm^-3，p₀₃=2.25×10⁴cm^-3分別計(jì)算這三塊材料的費(fèi)米能級(jí)的位置。

參考答案：

4.問(wèn)答題現(xiàn)有三塊半導(dǎo)體硅材料，已知室溫下（300K）它們的空穴濃度分別為：p₀₁=2.25×10¹⁶cm^-3，p₀₂=1.5×10¹⁰cm^-3，p₀₃=2.25×10⁴cm^-3判斷這三塊材料的導(dǎo)電類型

參考答案：

5.問(wèn)答題現(xiàn)有三塊半導(dǎo)體硅材料，已知室溫下（300K）它們的空穴濃度分別為：p₀₁=2.25×10¹⁶cm^-3，p₀₂=1.5×10¹⁰cm^-3，p₀₃=2.25×10⁴cm^-3分別計(jì)算這三塊材料的電子濃度n₀₁，n₀₂，n₀₃；

參考答案：