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單項(xiàng)選擇題對(duì)摻雜的硅等原子半導(dǎo)體，主要散射機(jī)構(gòu)是（）。

A. 聲學(xué)波散射和光學(xué)波散射
B. 聲學(xué)波散射和電離雜質(zhì)散射
C. 光學(xué)波散射和電離雜質(zhì)散射
D. 光學(xué)波散射

1.單項(xiàng)選擇題一塊半導(dǎo)體材料，光照在材料中會(huì)產(chǎn)生非平衡載流子，若光照忽然停止t=τ后，其中非平衡載流子將衰減為原來的（）。

A. 1/e
B. 1/2
C. 0
D. 2/e

2.單項(xiàng)選擇題金屬和半導(dǎo)體接觸分為（）。

A. 整流的肖特基接觸和整流的歐姆接觸
B. 整流的肖特基接觸和非整流的歐姆接觸
C. 非整流的肖特基接觸和整流的歐姆接觸
D. 非整流的肖特基接觸和非整流的歐姆接觸

3.單項(xiàng)選擇題P型半導(dǎo)體發(fā)生強(qiáng)反型的條件（）。

A.
B.
C.
D.

4.問答題說明能帶中載流子遷移率的物理意義和作用。

5.問答題對(duì)于摻雜的元素半導(dǎo)體Si、Ge中，一般情形下對(duì)載流子的主要散射機(jī)構(gòu)是什么？寫出其主要散射機(jī)構(gòu)所決定的散射幾率和溫度的關(guān)系。