A、激勵電脈沖的寬度
B、發(fā)射電路阻尼電阻的大小
C、晶片材料和厚度
D、晶片的機(jī)電耦合系數(shù)
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A、等于入射角的1/4
B、等于入射角
C、縱波反射角＞橫波反射角
D、b和c
A、密度
B、彈性模量
C、泊松比
D、以上全部
A、介質(zhì)的彈性
B、介質(zhì)的密度
C、超聲波波型
D、以上全部
A、c=f•λ
B、λ=c•f
C、f=c•λ
D、λ=f/c
A、取決于脈沖發(fā)生器、探頭和接收器的組合性能
B、隨頻率的提高而提高
C、隨分辨率的提高而提高
D、與換能器的機(jī)械阻尼無關(guān)
最新試題
點焊未熔合、脫焊等面狀缺陷最有效的檢測方法是X射線檢測。
底片圖像質(zhì)量參數(shù)中的顆粒度與膠片的粒度是同一概念。
二次打底焊接或重熔排除，無需辦理相關(guān)手續(xù)，直接使用前次的申請手續(xù)。
探傷人員在透視間內(nèi)發(fā)現(xiàn)輻射正在進(jìn)行應(yīng)立即（）。
產(chǎn)品焊接接頭最終質(zhì)量經(jīng)X射線檢驗合格后不得再實施影響接頭性能的加工（如校形、修刮、重熔等），否則應(yīng)重新申請進(jìn)行X射線檢測。
送檢產(chǎn)品工序狀態(tài)及表面質(zhì)量應(yīng)符合工藝規(guī)程或工藝處理意見的要求，經(jīng)表面檢驗合格，申請單無需檢驗蓋章確認(rèn)。
缺陷分類應(yīng)符合驗收標(biāo)準(zhǔn)的要求，標(biāo)準(zhǔn)未作規(guī)定的缺陷或不屬于X射線照相檢驗范疇的缺陷，必要時可予以注明供有關(guān)人員參考，但不作為合格與否判定的依據(jù)。
超差缺陷是否排除，由缺陷挖排人員挖排后直接提出申請、檢驗蓋章認(rèn)可后送X光檢測。
廢舊藥液應(yīng)采用專用容器收集，定期送指定的機(jī)構(gòu)處理。
補(bǔ)焊次數(shù)的界定由工藝、檢驗負(fù)責(zé)，對兩個補(bǔ)焊區(qū)交界部位補(bǔ)焊次數(shù)的界定，需要通過底片觀察提供幫助時，X光室應(yīng)予以配合。