A.波陣面的幾何形狀
B.材料的晶粒度
C.材料的粘滯性
D.以上全部
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A、一樣
B、傳播橫波時(shí)大
C、傳播縱波時(shí)大
D、以上a和b
A、鈦酸鋇(Tc=115°)
B、PZT-5(Tc=365°)
C、鈮酸鋰(Tc=1200°)
D、硫酸鋰(Tc=75°)
A、激勵(lì)電脈沖的寬度
B、發(fā)射電路阻尼電阻的大小
C、晶片材料和厚度
D、晶片的機(jī)電耦合系數(shù)
A、等于入射角的1/4
B、等于入射角
C、縱波反射角>橫波反射角
D、b和c
A、密度
B、彈性模量
C、泊松比
D、以上全部
最新試題
下面列出的確定透照布置應(yīng)考慮的基本內(nèi)容中,錯(cuò)誤的是()。
為了提高射線照相對(duì)比度,可以采用高電壓、短時(shí)間、大管電流的方式曝光。
超差缺陷是否排除,由缺陷挖排人員挖排后直接提出申請(qǐng)、檢驗(yàn)蓋章認(rèn)可后送X光檢測(cè)。
底片圖像質(zhì)量參數(shù)中的顆粒度與膠片的粒度是同一概念。
X射線檢測(cè)人員健康體檢為每()年一次。
提出有效磁導(dǎo)率的是下列哪位科學(xué)家()
下面給出的射線檢測(cè)基本原理中,正確的是()。
檢測(cè)申請(qǐng)時(shí)工序狀態(tài)應(yīng)清楚、工序質(zhì)量應(yīng)符合工序質(zhì)量要求,檢驗(yàn)蓋章確認(rèn),確保焊接、檢驗(yàn)、檢測(cè)等全過程具有可追溯性。
點(diǎn)焊未熔合、脫焊等面狀缺陷最有效的檢測(cè)方法是X射線檢測(cè)。
一次完整的兩面多層補(bǔ)焊,當(dāng)正面打底層質(zhì)量進(jìn)行過一次X射線檢測(cè),若反面還需打底,則無需X射線檢測(cè)。