問(wèn)答題雜質(zhì)在硅中有哪些擴(kuò)散機(jī)制?
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1.問(wèn)答題簡(jiǎn)述熱生長(zhǎng)氧化層與沉積氧化層的區(qū)別。
2.問(wèn)答題簡(jiǎn)述硅熱氧化工藝中影響二氧化硅生長(zhǎng)的因素。
3.問(wèn)答題簡(jiǎn)述SiO2在集成電路中的用途。
5.問(wèn)答題簡(jiǎn)述摻氯氧化工藝。
最新試題
目前集成電路版圖設(shè)計(jì)的主流工具有哪些?
題型:?jiǎn)柎痤}
試用電導(dǎo)率為102/(Ω·cm),厚1μm的材料設(shè)計(jì)1kΩ的電阻,設(shè)電阻寬1μm,求其長(zhǎng)。
題型:?jiǎn)柎痤}
根據(jù)圖,給出M2管的漏極電流表達(dá)式。
題型:?jiǎn)柎痤}
集成電容主要有幾種結(jié)構(gòu)?
題型:?jiǎn)柎痤}
在圖中,若所有的晶體管都工作在飽和區(qū),求M4的漏電流。
題型:?jiǎn)柎痤}
從設(shè)計(jì)的觀點(diǎn)出發(fā),版圖設(shè)計(jì)規(guī)則應(yīng)包括哪些部分?
題型:?jiǎn)柎痤}
什么是電阻率?它的單位是什么(國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)單位制)?
題型:?jiǎn)柎痤}
什么是MOS器件的體效應(yīng)?
題型:?jiǎn)柎痤}
MOS器件存在哪些二階效應(yīng)?
題型:?jiǎn)柎痤}
版圖設(shè)計(jì)的基本前提是什么?
題型:?jiǎn)柎痤}