問(wèn)答題簡(jiǎn)述熱生長(zhǎng)氧化層與沉積氧化層的區(qū)別。

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設(shè)計(jì)一個(gè)CMOS差分放大器電路，寫(xiě)出其對(duì)應(yīng)的SPICE描述語(yǔ)句并作差模電流-電壓特性分析。

題型：?jiǎn)柎痤}

圖a中M1和M2為某CMOS工藝中的兩個(gè)NMOS管，M1的W/L＝12μm/6μm，M2的W/L＝4μm/2μm，其它物理參數(shù)及偏置均相同。圖b中給出了M1的漏極電流Id1隨Vgs的變化曲線，請(qǐng)畫(huà)出Id2的大致變化，并說(shuō)明Id1和Id2有什么不同，并解釋不同的主要原因。

題型：?jiǎn)柎痤}

編寫(xiě)DRC版圖驗(yàn)證文件的主要依據(jù)是什么？

題型：?jiǎn)柎痤}

試述兩種傳輸線電感，比較其優(yōu)缺點(diǎn)。

題型：?jiǎn)柎痤}

在晶體材料中，對(duì)于長(zhǎng)程有序的原子模式最基本的實(shí)體就是（）。

題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

規(guī)定版圖幾何設(shè)計(jì)規(guī)則的意義是什么？

題型：?jiǎn)柎痤}

目前集成電路版圖設(shè)計(jì)的主流工具有哪些？

題型：?jiǎn)柎痤}

試用電導(dǎo)率為102/（Ω·cm），厚1μm的材料設(shè)計(jì)1kΩ的電阻，設(shè)電阻寬1μm，求其長(zhǎng)。

題型：?jiǎn)柎痤}

把半導(dǎo)體級(jí)硅的多晶硅塊，轉(zhuǎn)換成一塊大的單晶硅的過(guò)程，稱(chēng)作（）。生長(zhǎng)后的單晶硅被稱(chēng)為（）。

題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

版圖設(shè)計(jì)的基本前提是什么？

題型：?jiǎn)柎痤}