最新試題
在圖中,若所有的晶體管都工作在飽和區(qū),求M4的漏電流。
題型:問答題
為提高CMOS集成電路的抗自鎖能力,可在版圖設(shè)計(jì)上采取哪些措施?
題型:問答題
集成電路電阻可以通過()產(chǎn)生。
題型:多項(xiàng)選擇題
MOS場效應(yīng)管(MOSFET)在20世紀(jì)70年代得到了廣泛的接受,從那時(shí)起到現(xiàn)在一直是集成電路的主流晶體管。MOSFET有兩類()和()。每種類型可由各自器件的多數(shù)載流子來區(qū)別。
題型:多項(xiàng)選擇題
集成電容主要有幾種結(jié)構(gòu)?
題型:問答題
版圖DRC、ERC和LVS的意義是什么?
題型:問答題
什么是電阻率?它的單位是什么(國際標(biāo)準(zhǔn)單位制)?
題型:問答題
根據(jù)圖,給出M2管的漏極電流表達(dá)式。
題型:問答題
從設(shè)計(jì)的觀點(diǎn)出發(fā),版圖設(shè)計(jì)規(guī)則應(yīng)包括哪些部分?
題型:問答題
由硅片生產(chǎn)的半導(dǎo)體產(chǎn)品,又被稱為()。
題型:多項(xiàng)選擇題