多項選擇題材料根據(jù)流經(jīng)材電流的不同可分為三類（）。
A.導體
B.絕緣體
C.半導體
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1.多項選擇題20世紀上半葉對半導體產(chǎn)業(yè)量展做出貢獻的4種不同產(chǎn)業(yè)主要是（）。
A.真空管電子學
B.無線電通信
C.機械制表機
D.固體物理
2.多項選擇題晶體管的名字取自于（）和（）兩詞。
A.跨導
B.變阻器
C.導體
3.多項選擇題由硅片生產(chǎn)的半導體產(chǎn)品，又被稱為（）。
A.微芯片
B.芯片
C.硅片
最新試題
圖a中M1和M2為某CMOS工藝中的兩個NMOS管，M1的W/L＝12μm/6μm，M2的W/L＝4μm/2μm，其它物理參數(shù)及偏置均相同。圖b中給出了M1的漏極電流Id1隨Vgs的變化曲線，請畫出Id2的大致變化，并說明Id1和Id2有什么不同，并解釋不同的主要原因。
題型：問答題
規(guī)定版圖幾何設計規(guī)則的意義是什么？
題型：問答題
半導體工藝技術中，器件互連材料通常包括（）等。
題型：多項選擇題
在晶體材料中，對于長程有序的原子模式最基本的實體就是（）。
題型：單項選擇題
說明MOS器件噪聲的來源、成因及減小方法。
題型：問答題
硅半導體工藝中的絕緣材料主要來源于硅自身產(chǎn)生的（）材料等。
題型：多項選擇題
試用電導率為102/（Ω·cm），厚1μm的材料設計1kΩ的電阻，設電阻寬1μm，求其長。
題型：問答題
什么是無源電阻？什么是有源電阻？舉例說明。
題型：問答題
為提高CMOS集成電路的抗自鎖能力，可在版圖設計上采取哪些措施？
題型：問答題
版圖DRC、ERC和LVS的意義是什么？
題型：問答題