問答題例舉在線參數(shù)測試的4個主要子系統(tǒng)。
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N型襯底的MOS管的伏安特性曲線可以分為可調(diào)電阻區(qū)，飽和區(qū)和擊穿區(qū)。
題型：判斷題
處于飽和工作區(qū)的n溝耗盡型MOS管，漏極將失去對溝道電流的控制能力。
題型：判斷題
MOS型場效應晶體管的閾值電壓與襯底材料的摻雜濃度是有關的。
題型：判斷題
半導體具有的負的溫度系數(shù)的發(fā)現(xiàn)年份是（）年。
題型：填空題
N溝增強型MOS管襯底材料是N型摻雜半導體。
題型：判斷題
氧化鋁（Al2O3）的介電常數(shù)一般低于氮化硅（Si3N4）的介電常數(shù)。
題型：判斷題
雙極型晶體管使用中，電流最大的極是（），電流最小的極是（）。
題型：填空題
半導體襯底材料與柵極材料之間的逸出功差變化范圍較小。
題型：判斷題
MOS管的閾值電壓是漏源之間的導電溝道出現(xiàn)強反型時的最小柵極電壓，即半導體的表面勢大于費米勢時的柵極電壓。
題型：判斷題
P溝增強型MOS管存在著一個柵極截止電壓。
題型：判斷題