最新試題
1947年,()等人制造了第一個晶體管。
題型:填空題
MOS管閾值電壓的單位是eV。
題型:判斷題
半導(dǎo)體具有的負的溫度系數(shù)的發(fā)現(xiàn)年份是()年。
題型:填空題
MOS型場效應(yīng)晶體管的閾值電壓與襯底材料的摻雜濃度是有關(guān)的。
題型:判斷題
半導(dǎo)體襯底材料與柵極材料之間的逸出功差變化范圍較小。
題型:判斷題
P型襯底的MOS管的伏安特性曲線可以分為可調(diào)電阻區(qū),飽和區(qū)和擊穿區(qū)。
題型:判斷題
MOS管的伏安特性曲線含義是漏源電壓與漏源電流之間的關(guān)系曲線。
題型:判斷題
MOS的輸出特性曲線中,給定的漏源電壓下漏源電流隨著柵極電壓的增大而增加。
題型:判斷題
雙極型晶體管內(nèi)部有()個極,()個區(qū),()個PN結(jié)。
題型:填空題
絕緣層材料質(zhì)量影響MOS管的閾值電壓。
題型:判斷題