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填空題1947年，（）等人制造了第一個晶體管。

1.填空題半導體具有的負的溫度系數的發(fā)現(xiàn)年份是（）年。

2.填空題半導體的主要特征有（）（）（）和（）。

3.判斷題氧化鋁（Al₂O₃）的介電常數一般低于氮化硅（Si₃N₄）的介電常數。

4.判斷題MOS管的閾值電壓是漏源之間的導電溝道出現(xiàn)強反型時的最小柵極電壓，即半導體的表面勢大于費米勢時的柵極電壓。

5.判斷題半導體襯底材料與柵極材料之間的逸出功差變化范圍較小。