A.下行閉環(huán)內(nèi)環(huán)功控最終是調(diào)整的Node-B的發(fā)射功率;
B.外環(huán)功控是RNC根據(jù)Node-B提供的BLER來計算SIR目標(biāo)值并反饋給Node-B;
C.開環(huán)功率控制采用TPC來進(jìn)行功控;
D.閉環(huán)功控最大速率是每秒400次。
E.手機(jī)內(nèi)部也有下行外環(huán)功率控制的實體。"
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C.N302,T302
D.N3121,T3121
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B.水平間距2米,垂直間距1米
C.水平間距1米,垂直間距1.8米
D.水平間距10米,垂直間距5米
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