單項選擇題腐蝕二氧化硅的水溶液一般是用（）
A、鹽酸
B、硫酸
C、硝酸
D、氫氟酸
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1.單項選擇題說明構成每個單元所需的基本門和基本單元的集成電路設計過程叫（）：
A、邏輯設計
B、物理設計
C、電路設計
D、系統(tǒng)設計
2.單項選擇題屬于絕緣體的正確答案是（）。
A.金屬、石墨、人體、大地
B.橡膠、塑料、玻璃、云母、陶瓷
C.硅、鍺、砷化鎵、磷化銦
D.各種酸、堿、鹽的水溶液
3.多項選擇題下列材料屬于N型半導體是（）。
A.硅中摻有元素雜質磷（P）、砷（As）
B.硅中摻有元素雜質硼B(yǎng).、鋁（Al）
C.砷化鎵摻有元素雜質硅（Si）、碲（TE）
D.砷化鎵中摻元素雜質鋅、鎘、鎂
最新試題
厚膜漿料存在觸變性，流體受到外力作用時黏度迅速下降，外力消失后，黏度迅速恢復原狀。（）
題型：判斷題
光致抗蝕劑在曝光前對某些溶劑是可溶的，曝光后硬化成不可溶解的物質，這一類抗蝕劑稱為負性光致抗蝕劑，由此組成的光刻膠稱為負性膠。（）
題型：判斷題
設置的非破壞性鍵合拉力通常為最小鍵合強度的50％。（）
題型：判斷題
邏輯電路只能處理“非O即1“這兩個值。（）
題型：判斷題
單晶是原子或離子沿著三個不同的方向按一定的周期有規(guī)則的排列，并沿一致的晶體學取向所堆垛起來的遠程有序的晶體。（）
題型：判斷題
表面鈍化工藝是在半導體芯片表面復蓋一層保護膜，使器件的表面與周圍氣氛隔離。（）
題型：判斷題
位錯就是由范性形變造成的，它可以使晶體內的一原子或離子脫離規(guī)則的周期排列而位移一段距離，位移區(qū)與非位移區(qū)交界處必有原子的錯位，這樣產生線缺陷稱為位錯。（）
題型：判斷題
在半導體中摻金是為了使非平衡載流子的壽命增加。（）
題型：判斷題
厚膜元件材料的粉末顆粒越小、表面形狀謦復雜，比表面積就越大，則表面自由能也就越高，對燒結越有利。（）
題型：判斷題
集成電容主要有哪幾種結構？
題型：問答題