判斷題在半導(dǎo)體中摻金是為了使非平衡載流子的壽命增加。（）
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設(shè)置的非破壞性鍵合拉力通常為最小鍵合強度的50％。（）
題型：判斷題
光致抗蝕劑在曝光前對某些溶劑是可溶的，曝光后硬化成不可溶解的物質(zhì)，這一類抗蝕劑稱為負性光致抗蝕劑，由此組成的光刻膠稱為負性膠。（）
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位錯就是由范性形變造成的，它可以使晶體內(nèi)的一原子或離子脫離規(guī)則的周期排列而位移一段距離，位移區(qū)與非位移區(qū)交界處必有原子的錯位，這樣產(chǎn)生線缺陷稱為位錯。（）
題型：判斷題
點缺陷，如空位、間隙原子、反位缺陷、替位缺陷，和由它們構(gòu)成的復(fù)合體。（）
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題型：判斷題
設(shè)備、試劑、氣瓶等所有物品不需經(jīng)嚴(yán)格清潔處理，可直接進入凈化區(qū)。（）
題型：判斷題
厚膜漿料屬于牛頓流體，因此其粘度屬于正常黏度。（）
題型：判斷題
在半導(dǎo)體中摻金是為了使非平衡載流子的壽命增加。（）
題型：判斷題
敘述H2還原SiCl4外延的原理，寫出化學(xué)方程式。
題型：問答題