填空題對(duì)標(biāo)準(zhǔn)單元設(shè)計(jì)EDA系統(tǒng)而言,標(biāo)準(zhǔn)單元庫(kù)應(yīng)包含以下內(nèi)容:()、和()、()、()。
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2.單項(xiàng)選擇題人們規(guī)定:()電壓為安全電壓.
A.36伏以下
B.50伏以下
C.24伏以下
3.單項(xiàng)選擇題單相3線插座接線有嚴(yán)格規(guī)定()
A.“左零”“右火”
B.“左火”“右零”
4.多項(xiàng)選擇題按蒸發(fā)源加熱方法的不同,真空蒸發(fā)工藝可分為:()蒸發(fā)、()蒸發(fā)、離子束蒸發(fā)等。
A.電阻加熱
B.電子束
C.蒸氣原子
5.單項(xiàng)選擇題將預(yù)先制好的掩膜直接和涂有光致抗蝕劑的晶片表面接觸,再用紫外光照射來(lái)進(jìn)行曝光的方法,稱為()曝光。
A.接觸
B.接近式
C.投影
最新試題
退火處理能使金絲和硅鋁絲的抗斷強(qiáng)度下降。()
題型:判斷題
半導(dǎo)體芯片制造工藝對(duì)水質(zhì)的要求一般.()
題型:判斷題
厚膜元件材料的粉末顆粒越小、表面形狀謦復(fù)雜,比表面積就越大,則表面自由能也就越高,對(duì)燒結(jié)越有利。()
題型:判斷題
金屬剝離工藝是以具有一定圖形的光致抗蝕劑膜為掩膜,帶膠蒸發(fā)或?yàn)R射所需的金屬,然后在去除光致抗蝕劑膜的同時(shí),把膠膜上的金屬一起去除干凈。()
題型:判斷題
晶體的特點(diǎn)是在各不同晶向上的物理性能、機(jī)械性能、化學(xué)性能都相同。()
題型:判斷題
鈀.銀電阻的燒結(jié)分預(yù)燒結(jié)、燒結(jié)、降溫冷卻三個(gè)階段。()
題型:判斷題
厚膜漿料存在觸變性,流體受到外力作用時(shí)黏度迅速下降,外力消失后,黏度迅速恢復(fù)原狀。()
題型:判斷題
干法腐蝕清潔、干凈、無(wú)脫膠現(xiàn)象、圖形精度和分辨率高。()
題型:判斷題
厚膜漿料屬于牛頓流體,因此其粘度屬于正常黏度。()
題型:判斷題
低溫淀積二氧化硅生長(zhǎng)溫度低、制作方便,但膜不夠致密,耐潮性和抗離子沾污能力較差。()
題型:判斷題