單項選擇題單相3線插座接線有嚴(yán)格規(guī)定（）
A.“左零”“右火”
B.“左火”“右零”
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1.多項選擇題按蒸發(fā)源加熱方法的不同，真空蒸發(fā)工藝可分為：（）蒸發(fā)、（）蒸發(fā)、離子束蒸發(fā)等。
A.電阻加熱
B.電子束
C.蒸氣原子
2.單項選擇題將預(yù)先制好的掩膜直接和涂有光致抗蝕劑的晶片表面接觸，再用紫外光照射來進行曝光的方法，稱為（）曝光。
A.接觸
B.接近式
C.投影
3.單項選擇題光刻工藝是利用感光膠感光后抗腐蝕的特性在半導(dǎo)體晶片表面的掩膜層上的工藝（）
A.刻制圖形
B.繪制圖形
C.制作圖形
4.單項選擇題介質(zhì)隔離是以絕緣性能良好的電介質(zhì)作為“隔離墻”來實現(xiàn)電路中各元器件間彼此電絕緣的一種隔離方法。常用的電介質(zhì)是（）層。
A.多晶硅
B.氮化硅
C.二氧化硅
5.單項選擇題二氧化硅在擴散時能對雜質(zhì)起掩蔽作用進行（）擴散。
A.預(yù)
B.再
C.選擇
最新試題
絲網(wǎng)印刷膜的厚度不隨著刮板移動速度的增加而減小。（）
題型：判斷題
值稱為共發(fā)射極電流放大系數(shù)，是晶體管的一個重要參數(shù)，也是檢驗晶體管經(jīng)過硼、砷摻雜后的兩個pn結(jié)質(zhì)量優(yōu)劣的重要標(biāo)志。（）
題型：判斷題
場效應(yīng)晶體管的柵源電壓變化可以控制漏電流變化。（）
題型：判斷題
門陣列的基本結(jié)構(gòu)形式有兩種：一種是晶體管陣列，一種是門陣列（）
題型：判斷題
表面鈍化工藝是在半導(dǎo)體芯片表面復(fù)蓋一層保護膜，使器件的表面與周圍氣氛隔離。（）
題型：判斷題
邏輯電路只能處理“非O即1“這兩個值。（）
題型：判斷題
光刻工藝要求掩膜版圖形黑白區(qū)域之間的反差要低。（）
題型：判斷題
在半導(dǎo)體中摻金是為了使非平衡載流子的壽命增加。（）
題型：判斷題
片狀源擴散具有設(shè)備簡單，操作方便，晶片缺陷少，均勻性、重復(fù)性和表面質(zhì)量都較好，適于批量生產(chǎn)，應(yīng)用越來越普遍。（）
題型：判斷題
位錯就是由范性形變造成的，它可以使晶體內(nèi)的一原子或離子脫離規(guī)則的周期排列而位移一段距離，位移區(qū)與非位移區(qū)交界處必有原子的錯位，這樣產(chǎn)生線缺陷稱為位錯。（）
題型：判斷題