填空題化學(xué)清洗中是利用硝酸的強(qiáng)()和強(qiáng)()將吸附在硅片表面的雜質(zhì)除去。
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位錯(cuò)就是由范性形變造成的,它可以使晶體內(nèi)的一原子或離子脫離規(guī)則的周期排列而位移一段距離,位移區(qū)與非位移區(qū)交界處必有原子的錯(cuò)位,這樣產(chǎn)生線缺陷稱為位錯(cuò)。()
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厚膜漿料屬于牛頓流體,因此其粘度屬于正常黏度。()
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絲網(wǎng)印刷膜的厚度不隨著刮板移動(dòng)速度的增加而減小。()
題型:判斷題
晶體的特點(diǎn)是在各不同晶向上的物理性能、機(jī)械性能、化學(xué)性能都相同。()
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液相外延的原理是飽和溶液隨著溫度的降低產(chǎn)生過飽和結(jié)晶。()
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表面鈍化工藝是在半導(dǎo)體芯片表面復(fù)蓋一層保護(hù)膜,使器件的表面與周圍氣氛隔離。()
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可靠性篩選可以剔除早期失效的產(chǎn)品。()
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點(diǎn)缺陷,如空位、間隙原子、反位缺陷、替位缺陷,和由它們構(gòu)成的復(fù)合體。()
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離子源是產(chǎn)生離子的裝置。()
題型:判斷題
鈀.銀電阻的燒結(jié)分預(yù)燒結(jié)、燒結(jié)、降溫冷卻三個(gè)階段。()
題型:判斷題