填空題離子注入是借其（）強(qiáng)行進(jìn)入靶材料中的一個(gè)（）物理過(guò)程。
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遷移率是反映半導(dǎo)體中載流子導(dǎo)電能力的重要參數(shù)。摻雜半導(dǎo)體的電導(dǎo)率一方面取決于摻雜的濃度，另一方面取決于遷移率的大小。同樣的摻雜濃度，載流子的遷移率越大，材料的電導(dǎo)率就越高。（）
題型：判斷題
在半導(dǎo)體中摻金是為了使非平衡載流子的壽命增加。（）
題型：判斷題
片狀源擴(kuò)散具有設(shè)備簡(jiǎn)單，操作方便，晶片缺陷少，均勻性、重復(fù)性和表面質(zhì)量都較好，適于批量生產(chǎn)，應(yīng)用越來(lái)越普遍。（）
題型：判斷題
光刻工藝要求掩膜版圖形黑白區(qū)域之間的反差要低。（）
題型：判斷題
敘述H2還原SiCl4外延的原理，寫出化學(xué)方程式。
題型：?jiǎn)柎痤}
位錯(cuò)就是由范性形變?cè)斐傻?，它可以使晶體內(nèi)的一原子或離子脫離規(guī)則的周期排列而位移一段距離，位移區(qū)與非位移區(qū)交界處必有原子的錯(cuò)位，這樣產(chǎn)生線缺陷稱為位錯(cuò)。（）
題型：判斷題
拋光片的電學(xué)參數(shù)包括電阻率，載流子濃度，遷移率，直徑、厚度、主參考面等。（）
題型：判斷題
半導(dǎo)體芯片制造工藝對(duì)水質(zhì)的要求一般.（）
題型：判斷題
場(chǎng)效應(yīng)晶體管的柵源電壓變化可以控制漏電流變化。（）
題型：判斷題
表面鈍化工藝是在半導(dǎo)體芯片表面復(fù)蓋一層保護(hù)膜，使器件的表面與周圍氣氛隔離。（）
題型：判斷題