A、2.5MHZ
B、5MHZ
C、4MHZ
D、2MHZ
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A.頻率增加,晶片直徑減小而減小
B.頻率或晶片直徑減小而增大
C.頻率或晶片直徑減小而減小
D.頻率增加,晶片直徑減小而增大
A、橫波衰減比縱波嚴(yán)重
B、衰減系數(shù)一般隨材料的溫度上升而增大
C、當(dāng)晶粒度大于波長(zhǎng)1/10時(shí)對(duì)探傷有顯著影響
D、提高增益可完全克服衰減對(duì)探傷的影響
A、擴(kuò)散衰減
B、散射衰減
C、吸收衰減
D、以上都是
A、按振動(dòng)方向分,板波可分為SH波和蘭姆波,探傷常用的是蘭姆波
B、板波聲速不僅與介質(zhì)特性有關(guān),而且與板厚、頻率有關(guān)
C、板波聲速包括相速度和群速度兩個(gè)參數(shù)
D、實(shí)際探傷應(yīng)用時(shí),只考慮相速度,無(wú)須考慮群速度
A.增大
B.不變
C.減少
D.以上都不對(duì)
最新試題
直接接觸法是指探頭與工件之間()。
超聲檢測(cè)對(duì)缺陷定位時(shí),()不是影響缺陷定位的主要因素。
用橫波斜探頭檢測(cè),找到缺陷最大回波后,探頭所在截面及()可以確定缺陷位置。
超聲檢測(cè)儀盲區(qū)是指()。
檢測(cè)靈敏度太高和太低對(duì)檢測(cè)都不利。靈敏度太低,()。
縱波直探頭徑向檢測(cè)實(shí)心圓柱時(shí),在第一次底波之后,還有2個(gè)特定位置的反射波,這種波是()。
()可以檢測(cè)出與探測(cè)面垂直的橫向缺陷。
探頭延檢測(cè)面水平移動(dòng),超聲檢測(cè)系統(tǒng)區(qū)分兩個(gè)相鄰缺陷的能量稱為()。
()是影響缺陷定量的因素。
單探頭法容易檢出()。