填空題在單晶硅表面制作絨面時(shí)，常用的各向異性腐蝕劑有有機(jī)腐蝕劑和（），并且被腐蝕的單晶硅表面為100晶面時(shí)，可形成金字塔方椎形狀，腐蝕后方椎高度一般為3～6µm。

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5.單項(xiàng)選擇題關(guān)于多晶硅和非晶硅電池，以下說法錯(cuò)誤的是（）

A.在擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)中，只有注入的少子存在很大的濃度梯度，因此擴(kuò)散電流主要是由少子貢獻(xiàn)。
B.非晶硅對可見光譜的吸收很強(qiáng)，是晶硅的500倍，整個(gè)太陽光譜中的吸收系數(shù)也為單晶硅的40倍，因此非晶硅電池可做的很薄。
C.多晶硅和非晶硅電池都是由pn結(jié)構(gòu)成的，因此它們的基本結(jié)構(gòu)是相同的。
D.與晶體硅電池相比，非晶硅電池中存在光誘導(dǎo)退化效應(yīng)（S-W效應(yīng)），但其光電轉(zhuǎn)化效率隨溫度升高下降較慢。