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填空題結(jié)晶硅具有（）型能帶結(jié)構(gòu)，因此吸收系數(shù)較小，有必要進(jìn)行封閉，活性層的厚度為數(shù)µm的薄膜太陽(yáng)能電池也可得到高的轉(zhuǎn)換效率。

1.填空題干式法由于應(yīng)力自由，因此即可以適用于切割大面積基片，又可以適用于（）的過(guò)程。

2.填空題多晶硅表面的結(jié)晶面是多重的，因此不能像單晶硅基片那樣，使用（）的不同方向腐蝕的化學(xué)蝕刻方法。

3.填空題由于有漏電電流流動(dòng)，使所謂的反向飽和電流密度（），從而減少了開路電壓。

4.填空題目前世界上，用鑄造法制造基片得到的小面積電池片的最高轉(zhuǎn)換效率可達(dá)到（）。

5.填空題干式法由于應(yīng)力自由，因此既可以適用于切割（）基片，又可以適用于高效率的過(guò)程。