單項(xiàng)選擇題砌墻磚試驗(yàn)方法(GB/T2542-2003)標(biāo)準(zhǔn)中磚的泛霜試驗(yàn),一般燒結(jié)普通磚用(),燒結(jié)多孔磚用(),燒結(jié)空心磚用()進(jìn)行試驗(yàn)。

A、整磚.1/2磚.1/4磚
B、整磚.1/2磚.1/2磚
C、整磚.整磚.1/2磚或1/4
D、整磚.整磚.整磚


您可能感興趣的試卷

你可能感興趣的試題

最新試題

在光線作用下,能使物體產(chǎn)生一定方向的電動(dòng)勢(shì)的現(xiàn)象稱()

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含:()1)冶金法2)硅烷法3)重?fù)焦鑿U料提純法4)西門子改良法5)SiCl4法6)氣液沉淀法7)流化床法

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

PN結(jié)的基本特性是()

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是()①原材料中雜質(zhì)的種類和含量;②雜質(zhì)的分凝效應(yīng);③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng);④生長(zhǎng)過(guò)程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污;⑤加入雜質(zhì)量;

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

下列選項(xiàng)中,對(duì)從石英到單晶硅的工藝流程是()

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs,光照在材料中會(huì)產(chǎn)生非平衡載流子,光照突然停止30µs后,其中非平衡載流子將衰減到原來(lái)的()。

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

對(duì)于大注入下的直接復(fù)合,非平衡載流子的壽命不再是個(gè)常數(shù),它與()。

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

改良西門子法的顯著特點(diǎn)不包括()

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

與半導(dǎo)體相比較,絕緣體的價(jià)帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量()

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

光子傳感器是利用某些半導(dǎo)體材料在入射光的照下,產(chǎn)生().使材料的電學(xué)性質(zhì)發(fā)生變化。通過(guò)測(cè)量電學(xué)性質(zhì)的變化,可以知道紅外輻射的強(qiáng)弱。光子效應(yīng)所制成的紅外探測(cè)器。  

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題