單項(xiàng)選擇題在光線作用下，能使物體產(chǎn)生一定方向的電動(dòng)勢(shì)的現(xiàn)象稱（）

A.光電效應(yīng)
B.光生伏特效應(yīng)
C.內(nèi)光電效應(yīng)
D.外光電效應(yīng)


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1.單項(xiàng)選擇題硅片拋光在原理上不可分為（）

A.機(jī)械拋光法
B.化學(xué)拋光法
C.手工拋光法
D.機(jī)械--化學(xué)拋光法

2.單項(xiàng)選擇題可用作硅片的研磨材料是（）

A.AL2O3
B.MGO
C.BA2O3
D.NACL

3.單項(xiàng)選擇題熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括（）

A.球狀沉淀
B.片狀沉淀
C.棒狀沉淀
D.多面體沉淀

4.單項(xiàng)選擇題CZ法的主要流程工藝順序正確的是（）

A.加料--熔化--縮頸生長(zhǎng)--等徑生長(zhǎng)--放肩生長(zhǎng)--收尾
B.加料--熔化--縮頸生長(zhǎng)--放肩生長(zhǎng)--等徑生長(zhǎng)--收尾
C.加料--熔化--等徑生長(zhǎng)-放肩生長(zhǎng)--縮頸生長(zhǎng)--收尾
D.加料--熔化--等徑生長(zhǎng)長(zhǎng)--縮頸生長(zhǎng)--放肩生長(zhǎng)--收尾

5.單項(xiàng)選擇題懸浮區(qū)熔的優(yōu)點(diǎn)不包括（）

A.不需要坩堝
B.避免了容器污染
C.更易獲得高純度硅
D.成本低

最新試題

PN結(jié)的基本特性是（）

題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

對(duì)于大注入下的直接復(fù)合，非平衡載流子的壽命不再是個(gè)常數(shù)，它與（）。

題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

把磷化鎵在氮?dú)夥罩型嘶穑瑫?huì)有氮取代部分的磷，這會(huì)在磷化鎵中出現(xiàn)（）。

題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運(yùn)過(guò)程的散射機(jī)構(gòu)中，當(dāng)溫度升高時(shí)，電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動(dòng)聲子的散射概率的變化分別是（）

題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質(zhì)的種類和含量；②雜質(zhì)的分凝效應(yīng)；③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng)；④生長(zhǎng)過(guò)程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污；⑤加入雜質(zhì)量；

題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

載流子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生擴(kuò)散電流，漂移運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生（）電流。

題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

改良西門子法的顯著特點(diǎn)不包括（）

題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

下列選項(xiàng)中，對(duì)從石英到單晶硅的工藝流程是（）

題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

鑄造多晶硅中的氧主要來(lái)源不包括（）

題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

可用作硅片的研磨材料是（）

題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題