單項(xiàng)選擇題混凝土小型空心砌塊試驗(yàn)方法（GB/T4111-1997）標(biāo)準(zhǔn)抗壓強(qiáng)度試件制備一般用坐漿法，其漿面厚度一般為（）。
A、1～3mm
B、1～5mm
C、3～5mm
D、5～8mm
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1.單項(xiàng)選擇題混凝土小型空心砌塊試驗(yàn)方法（GB/T4111-1997）標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定尺寸測(cè)量的精度要求為（）。
A、0.5mm
B、0.1mm
C、1mm
D、5mm
2.單項(xiàng)選擇題砌墻磚試驗(yàn)方法（GB/T2542-2003）標(biāo)準(zhǔn)中磚的傳熱系數(shù)測(cè)定中，試件制備好后，應(yīng)在環(huán)境溫度（），相對(duì)濕度（）的不通風(fēng)室內(nèi)靜置7d。
A、（20±3）℃.（60±20）%
B、（20±3）.℃90%以上
C、（20±1）℃.（60±20）%
D、（20±1）℃.90%以上
3.單項(xiàng)選擇題砌墻磚試驗(yàn)方法（GB/T2542-2003）標(biāo)準(zhǔn)中磚的傳熱系數(shù)測(cè)定中，試件厚度為試件的實(shí)際使用厚度，試件邊長(zhǎng)為其厚度的（）倍。
A、1
B、2
C、3
D、4
4.單項(xiàng)選擇題砌墻磚試驗(yàn)方法（GB/T2542-2003）標(biāo)準(zhǔn)中磚的吸水率試驗(yàn)飽和系數(shù)試驗(yàn)稱量沸煮（）的濕質(zhì)量來(lái)進(jìn)行計(jì)算。
A、3h
B、5h
C、1h
D、2h
5.單項(xiàng)選擇題砌墻磚試驗(yàn)方法（GB/T2542-2003）標(biāo)準(zhǔn)中磚的吸水率試驗(yàn)中常溫水浸泡24h的常溫是指（）。
A、10℃～20℃
B、10℃～30℃
C、20℃～30℃
D、0℃～30℃
最新試題
對(duì)于同時(shí)存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡(jiǎn)并半導(dǎo)體，在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時(shí)，半導(dǎo)體具有（）半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
那個(gè)不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
下列選項(xiàng)中，對(duì)從石英到單晶硅的工藝流程是（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
表面態(tài)中性能級(jí)位于費(fèi)米能級(jí)以上時(shí)，該表面態(tài)為（）；
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重?fù)焦鑿U料提純法4）西門子改良法5）SiCl4法6）氣液沉淀法7）流化床法
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
把磷化鎵在氮?dú)夥罩型嘶?，?huì)有氮取代部分的磷，這會(huì)在磷化鎵中出現(xiàn)（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
可用作硅片的研磨材料是（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
下列哪個(gè)不是單晶常用的晶向（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
下列哪一個(gè)遷移率的測(cè)量方法適合于低阻材料少子遷移率測(cè)量（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
對(duì)于大注入下的直接復(fù)合，非平衡載流子的壽命不再是個(gè)常數(shù)，它與（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題