單項選擇題砌墻磚試驗方法（GB/T2542-2003）標準中磚的傳熱系數(shù)測定中，試件厚度為試件的實際使用厚度，試件邊長為其厚度的（）倍。
A、1
B、2
C、3
D、4
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
1.單項選擇題砌墻磚試驗方法（GB/T2542-2003）標準中磚的吸水率試驗飽和系數(shù)試驗稱量沸煮（）的濕質(zhì)量來進行計算。
A、3h
B、5h
C、1h
D、2h
2.單項選擇題砌墻磚試驗方法（GB/T2542-2003）標準中磚的吸水率試驗中常溫水浸泡24h的常溫是指（）。
A、10℃～20℃
B、10℃～30℃
C、20℃～30℃
D、0℃～30℃
3.單項選擇題砌墻磚試驗方法（GB/T2542-2003）標準中磚的泛霜試驗，一般燒結(jié)普通磚用（），燒結(jié)多孔磚用（），燒結(jié)空心磚用（）進行試驗。
A、整磚.1/2磚.1/4磚
B、整磚.1/2磚.1/2磚
C、整磚.整磚.1/2磚或1/4
D、整磚.整磚.整磚
4.單項選擇題砌墻磚試驗方法（GB/T2542-2003）標準中磚的石灰爆裂試驗，一般燒結(jié)普通磚用（），燒結(jié)多孔磚用（），燒結(jié)空心磚用（）進行試驗。
A、整磚.1/2磚.1/4磚
B、整磚.1/2磚.1/2磚
C、整磚.整磚.1/2磚
D、整磚.整磚.1/4磚
5.單項選擇題砌墻磚試驗方法（GB/T2542-2003）標準中磚的凍融試驗，一次凍融循環(huán)是指在（）下冰凍：燒結(jié)磚凍3h，非燒結(jié)磚凍5h，然后取出放入（）的水中融化：燒結(jié)磚不少于2h；非燒結(jié)磚不少于3h。
A、-15℃～-20℃10℃～20℃
B、-10℃～-20℃15℃～20℃
C、-15℃～-20℃15℃～20℃
D、-10℃～-20℃10℃～20℃
最新試題
對于大注入下的直接復合，非平衡載流子的壽命不再是個常數(shù)，它與（）。
題型：單項選擇題
如在半導體的禁帶中有一個深雜質(zhì)能級位于禁帶中央，則它對電子的俘獲率（）空穴的俘獲率。
題型：單項選擇題
硅片拋光在原理上不可分為（）
題型：單項選擇題
與半導體相比較，絕緣體的價帶電子激發(fā)到導帶所需的能量（）
題型：單項選擇題
在通常情況下，GaN呈（）型結(jié)構(gòu)。
題型：單項選擇題
下列哪一個遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量（）
題型：單項選擇題
下列選項中，對從石英到單晶硅的工藝流程是（）
題型：單項選擇題
最有效的復合中心能級位置在Ei附近；最有利陷阱作用的能級位置在（）附近，常見的是少子陷阱。
題型：單項選擇題
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質(zhì)的種類和含量；②雜質(zhì)的分凝效應；③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應；④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污；⑤加入雜質(zhì)量；
題型：單項選擇題
一塊半導體壽命τ=15µs，光照在材料中會產(chǎn)生非平衡載流子，光照突然停止30µs后，其中非平衡載流子將衰減到原來的（）。
題型：單項選擇題