A、JYM12-13
B、JYM13-12
C、JYM12.7-12
D、JYM12-12.7
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A、L
B、S
C、J
D、M
A、夾片式
B、支承式
C、錐塞式
D、握裹式
A、實測極限抗拉強度
B、實測極限抗拉強度的80%
C、抗拉強度標(biāo)準(zhǔn)值
D、抗拉強度標(biāo)準(zhǔn)值的80%
A、60分鐘
B、120分鐘
C、240分鐘
D、480分鐘
A、10%,30%,50%,70%
B、20%,40%,60%,80%
C、10%,50%,70%,85%
D、30%,50%,70%,90%
最新試題
懸浮區(qū)熔的優(yōu)點不包括()
表面態(tài)中性能級位于費米能級以上時,該表面態(tài)為();
下列選項中,對從石英到單晶硅的工藝流程是()
對于同時存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡并半導(dǎo)體,在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時,半導(dǎo)體具有()半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。
CZ法的主要流程工藝順序正確的是()
直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個主要階段?()
把磷化鎵在氮氣氛中退火,會有氮取代部分的磷,這會在磷化鎵中出現(xiàn)()。
如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用,則這種雜質(zhì)稱為()。
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速()
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是()①原材料中雜質(zhì)的種類和含量;②雜質(zhì)的分凝效應(yīng);③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng);④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污;⑤加入雜質(zhì)量;