單項選擇題直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個主要階段？（）

A、6
B、2
C、4
D、5


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1.單項選擇題那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）

A、損壞
B、蒸發(fā)
C、坩堝污染
D、分凝

2.單項選擇題下列選項中，對從石英到單晶硅的工藝流程是（）

A、加料—縮頸生長—熔化—放肩生長—等徑生長—尾部生長
B、加料—熔化—縮頸生長—等徑生長—放肩生長—尾部生長
C、加料—熔化—等徑生長—放肩生長—縮頸生長—尾部生長
D、加料—熔化—縮頸生長—放肩生長—等徑生長—尾部生長

3.單項選擇題用能量（）禁帶寬度的光子照射p-n結會產生光生伏特效應。

A、低于
B、等于或大于
C、大于
D、小于或等于

4.單項選擇題屬于晶體缺陷中面缺陷的是（）

A、位錯
B、層錯
C、肖特基缺陷
D、螺旋位錯

5.單項選擇題簡述光生伏特效應中正確的是（）

A、用能量小于禁帶寬度的光子照射p-n結；
B、p、n區(qū)都產生電子—空穴對，產生平衡載流子；
C、平衡載流子破壞原來的熱平衡；
D、非平衡載流子在內建電場作用下，n區(qū)空穴向p區(qū)擴散，p區(qū)電子向n區(qū)擴散；若p-n結開路，在結的兩邊積累電子—空穴對，產生開路電壓。