多項選擇題以下關(guān)于砼拌合物坍落度試驗部分操作步驟的描述，不正確的有（）。

A.試驗前應(yīng)潤濕坍落度筒及底板
B、拌合物應(yīng)分二層均勻地裝入坍落度筒內(nèi)
C、每層可用直徑為Φ25mm的振動棒振搗密實
D、頂層插搗完后，刮去多余的砼，并用抹刀抹平


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1.多項選擇題大流動性砼拌合物坍落擴展后，可以用來表征拌合物抗離析性能差的表觀現(xiàn)象有（）。

A、粗骨料在中央集堆
B、大量水泥漿從邊緣析出
C、坍落體不停向外蠕動擴展
D、A、B、C選項都對

2.多項選擇題大流動性砼拌合物坍落后不同方向的直徑差異大時，除與拌合物的抗離析性能差有關(guān)外，還可能受（）影響。

A、插搗不均勻
B、提筒時歪斜
C、底板干濕不勻
D、底板傾斜

3.多項選擇題砼拌合物的稠度可根據(jù)拌合物稠度大小選用（）試驗方法來測定。

A、坍落度法
B、坍落擴展度法
C、維勃稠度法
D、增實因素法

4.多項選擇題砼拌合物的和易性可用（）性能來表征。

A、流動性
B、凝結(jié)時間
C、黏聚性
D、保水性

5.多項選擇題屬于砼拌合物的性能參數(shù)有（）。

A、稠度
B、凝結(jié)時間
C、碳化深度
D、泌水率

最新試題

一塊半導體壽命τ=15µs，光照在材料中會產(chǎn)生非平衡載流子，光照突然停止30µs后，其中非平衡載流子將衰減到原來的（）。

題型：單項選擇題

光子傳感器是利用某些半導體材料在入射光的照下，產(chǎn)生（）.使材料的電學性質(zhì)發(fā)生變化。通過測量電學性質(zhì)的變化，可以知道紅外輻射的強弱。光子效應(yīng)所制成的紅外探測器。  

題型：單項選擇題

下列哪個不是單晶常用的晶向（）

題型：單項選擇題

原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速（）

題型：單項選擇題

直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個主要階段？（）

題型：單項選擇題

改良西門子法的顯著特點不包括（）

題型：單項選擇題

表面態(tài)中性能級位于費米能級以上時，該表面態(tài)為（）；

題型：單項選擇題

多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重摻硅廢料提純法4）西門子改良法5）SiCl4法6）氣液沉淀法7）流化床法

題型：單項選擇題

雜質(zhì)半導體中的載流子輸運過程的散射機構(gòu)中，當溫度升高時，電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是（）

題型：單項選擇題

對于同時存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡并半導體，在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時，半導體具有（）半導體的導電特性。

題型：單項選擇題