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B、水泥
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D、水
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B、試件邊長、直徑和高的尺寸
C、試件質(zhì)量
D、試件相鄰面的垂直度
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B、150×150×600mm棱柱體
C、Φ150×300mm圓柱體
D、150×150×550mm棱柱體
最新試題
對(duì)于同時(shí)存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡并半導(dǎo)體,在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時(shí),半導(dǎo)體具有()半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。
如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個(gè)深雜質(zhì)能級(jí)位于禁帶中央,則它對(duì)電子的俘獲率()空穴的俘獲率。
那個(gè)不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素()
與半導(dǎo)體相比較,絕緣體的價(jià)帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量()
可用作硅片的研磨材料是()
如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用,則這種雜質(zhì)稱為()。
下列哪個(gè)不是單晶常用的晶向()
在通常情況下,GaN呈()型結(jié)構(gòu)。
鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括()
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含:()1)冶金法2)硅烷法3)重?fù)焦鑿U料提純法4)西門子改良法5)SiCl4法6)氣液沉淀法7)流化床法