單項(xiàng)選擇題如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個(gè)深雜質(zhì)能級(jí)位于禁帶中央，則它對電子的俘獲率（）空穴的俘獲率。

A.大于
B.等于
C.小于
D.有效的復(fù)合中心


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1.單項(xiàng)選擇題與半導(dǎo)體相比較，絕緣體的價(jià)帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量（）

A、比半導(dǎo)體的大
B、比半導(dǎo)體的小
C、與半導(dǎo)體的相等

2.單項(xiàng)選擇題表面態(tài)中性能級(jí)位于費(fèi)米能級(jí)以上時(shí)，該表面態(tài)為（）；

A、施主態(tài)
B、受主態(tài)
C、電中性

5.單項(xiàng)選擇題把磷化鎵在氮?dú)夥罩型嘶?，?huì)有氮取代部分的磷，這會(huì)在磷化鎵中出現(xiàn)（）。

A.改變禁帶寬度；
B.產(chǎn)生復(fù)合中心；
C.產(chǎn)生空穴陷阱；
D.產(chǎn)生等電子陷阱。