多項(xiàng)選擇題蒸壓粉煤灰多孔磚是以()為主要原料,可參加適量石膏等外加劑和其他集料,經(jīng)料制備,壓制成型,高壓蒸汽養(yǎng)護(hù)而制成的多孔磚。

A、粉煤灰
B、生石灰(或電石渣)
C、水泥
D、硅灰


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1.多項(xiàng)選擇題蒸壓粉煤灰多孔磚強(qiáng)度等級(jí)主要有()。

A、MU10
B、MU15
C、MU20
D、MU25

2.多項(xiàng)選擇題以下關(guān)于快凍法砼抗凍試驗(yàn)凍融循環(huán)中溫降和溫升過程的說法,正確的有()。

A、每塊試件從3℃降至-16℃所用時(shí)間不得少于冷凍時(shí)間的1/2
B、每塊試件從3℃降至-16℃所用時(shí)間不得大于冷凍時(shí)間的1/4
C、每塊試件從-16℃升至3℃所用時(shí)間不得少于融化時(shí)間的1/2
D、每塊試件從-16℃升至3℃所用時(shí)間不得大于融化時(shí)間的1/4

3.多項(xiàng)選擇題以下關(guān)于快凍法砼抗凍試驗(yàn)凍融循環(huán)中冷凍和融化過程溫度的說法,不正確的有()。

A、試件中心最低和最高溫度應(yīng)分別控制在(-18±2)℃和(18±2)℃
B、試件中心最低和最高溫度應(yīng)分別控制在(-18±2)℃和(5±2)℃
C、試件中心最低和最高溫度應(yīng)分別控制在(-5±2)℃和(18±2)℃
D、試件中心最低和最高溫度應(yīng)分別控制在(-20±2)℃和(20±2)℃

4.多項(xiàng)選擇題以下關(guān)于快凍法砼抗凍試驗(yàn)一個(gè)凍融循環(huán)持續(xù)時(shí)間的說法,不正確的有()。

A、每次凍融循環(huán)應(yīng)在(2~4)h內(nèi)完成,且用于融化的時(shí)間不得少于整個(gè)凍融循環(huán)時(shí)間的1/2
B、每次凍融循環(huán)應(yīng)在(2~4)h內(nèi)完成,且用于融化的時(shí)間不得少于整個(gè)凍融循環(huán)時(shí)間的1/4
C、每次凍融循環(huán)時(shí)間為8h內(nèi),且用于融化的時(shí)間不得少于整個(gè)凍融循環(huán)時(shí)間的1/2
D、每次凍融循環(huán)時(shí)間為8h內(nèi),且用于融化的時(shí)間不得少于整個(gè)凍融循環(huán)時(shí)間的1/4

5.多項(xiàng)選擇題以下關(guān)于快凍法砼抗凍試驗(yàn)所用的測(cè)溫試件的描述,正確的有()。

A、測(cè)溫試件就是凍融試驗(yàn)試件
B、測(cè)溫試件應(yīng)采用防凍液作為凍融介質(zhì)
C、測(cè)溫試件應(yīng)采用純凈水作為凍融介質(zhì)
D、測(cè)溫試件所用砼的抗凍性能應(yīng)高于凍融試驗(yàn)試件

最新試題

對(duì)于大注入下的直接復(fù)合,非平衡載流子的壽命不再是個(gè)常數(shù),它與()。

題型:單項(xiàng)選擇題

下列選項(xiàng)中,對(duì)從石英到單晶硅的工藝流程是()

題型:單項(xiàng)選擇題

PN結(jié)的基本特性是()

題型:單項(xiàng)選擇題

原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速()

題型:單項(xiàng)選擇題

下列哪一個(gè)遷移率的測(cè)量方法適合于低阻材料少子遷移率測(cè)量()

題型:單項(xiàng)選擇題

最有效的復(fù)合中心能級(jí)位置在Ei附近;最有利陷阱作用的能級(jí)位置在()附近,常見的是少子陷阱。

題型:單項(xiàng)選擇題

如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個(gè)深雜質(zhì)能級(jí)位于禁帶中央,則它對(duì)電子的俘獲率()空穴的俘獲率。

題型:單項(xiàng)選擇題

制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括()

題型:單項(xiàng)選擇題

對(duì)于同時(shí)存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡并半導(dǎo)體,在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時(shí),半導(dǎo)體具有()半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。

題型:單項(xiàng)選擇題

影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是()①原材料中雜質(zhì)的種類和含量;②雜質(zhì)的分凝效應(yīng);③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng);④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污;⑤加入雜質(zhì)量;

題型:單項(xiàng)選擇題