A、尺寸偏差
B、外觀質(zhì)量
C、密度和強度
D、吸水率和相對含水率
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A、新產(chǎn)品投產(chǎn)或產(chǎn)品定型鑒定時;
B、砌塊的原材料、配合比及生產(chǎn)工藝發(fā)生較大變化時;
C、正常生產(chǎn)六個月時(干燥收縮率、碳化系數(shù)和抗凍性每年一次)
D、產(chǎn)品停產(chǎn)三個月以上恢復(fù)生產(chǎn)時
A、防雨
B、防潮
C、排水
D、防曬
A、承重
B、非承重
C、防火墻
D、防輻射墻
A、原材料
B、要求
C、檢驗方法
D、檢驗規(guī)則
A、A1.0
B、A2.0
C、A15
D、A20
最新試題
只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷是()。
如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用,則這種雜質(zhì)稱為()。
表面態(tài)中性能級位于費米能級以上時,該表面態(tài)為();
可用作硅片的研磨材料是()
一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs,光照在材料中會產(chǎn)生非平衡載流子,光照突然停止30µs后,其中非平衡載流子將衰減到原來的()。
雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運過程的散射機構(gòu)中,當(dāng)溫度升高時,電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是()
載流子的擴散運動產(chǎn)生擴散電流,漂移運動產(chǎn)生()電流。
對于同時存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡并半導(dǎo)體,在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時,半導(dǎo)體具有()半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。
CZ法的主要流程工藝順序正確的是()
把磷化鎵在氮氣氛中退火,會有氮取代部分的磷,這會在磷化鎵中出現(xiàn)()。