單項選擇題只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷是()。
A.線缺陷
B.面缺陷
C.點缺陷
D.體缺陷
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1.單項選擇題對于大注入下的直接復合,非平衡載流子的壽命不再是個常數(shù),它與()。
A.非平衡載流子濃度成正比;
B.平衡載流子濃度成正比;
C.非平衡載流子濃度成反比;
D.平衡載流子濃度成反比。
2.單項選擇題在通常情況下,GaN呈()型結(jié)構(gòu)。
A.纖鋅礦型;
B.閃鋅礦型;
C.六方對稱性;
D.立方對稱性
3.單項選擇題如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用,則這種雜質(zhì)稱為()。
A.施主
B.受主
C.復合中心
D.兩性雜質(zhì)
4.單項選擇題雜質(zhì)半導體中的載流子輸運過程的散射機構(gòu)中,當溫度升高時,電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是()
A.變大,變小
B.變小,變大
C.變小,變小
D.變大,變大
5.單項選擇題如在半導體的禁帶中有一個深雜質(zhì)能級位于禁帶中央,則它對電子的俘獲率()空穴的俘獲率。
A.大于
B.等于
C.小于
D.有效的復合中心
最新試題
把磷化鎵在氮氣氛中退火,會有氮取代部分的磷,這會在磷化鎵中出現(xiàn)()。
題型:單項選擇題
對于同時存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡并半導體,在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時,半導體具有()半導體的導電特性。
題型:單項選擇題
下列選項中,對從石英到單晶硅的工藝流程是()
題型:單項選擇題
載流子的擴散運動產(chǎn)生擴散電流,漂移運動產(chǎn)生()電流。
題型:單項選擇題
對于大注入下的直接復合,非平衡載流子的壽命不再是個常數(shù),它與()。
題型:單項選擇題
鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括()
題型:單項選擇題
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括()
題型:單項選擇題
直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個主要階段?()
題型:單項選擇題
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速()
題型:單項選擇題
那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素()
題型:單項選擇題