A、缺損
B、裂紋
C、彎曲
D、雜質(zhì)凸出高度
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A、水泥
B、粉煤灰
C、石灰
D、砂
A、紅色
B、灰色
C、彩色
D、本色
A、優(yōu)等品
B、一等品
C、二等品
D、合格品
A、出廠檢驗(yàn)
B、型式檢驗(yàn)
C、現(xiàn)場檢驗(yàn)
D、見證檢驗(yàn)
A、尺寸偏差和外觀質(zhì)量
B、顏色
C、抗壓強(qiáng)度和抗折強(qiáng)度
D、抗凍性
最新試題
最有效的復(fù)合中心能級(jí)位置在Ei附近；最有利陷阱作用的能級(jí)位置在（）附近，常見的是少子陷阱。
如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用，則這種雜質(zhì)稱為（）。
對(duì)于同時(shí)存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡并半導(dǎo)體，在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時(shí)，半導(dǎo)體具有（）半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。
對(duì)于大注入下的直接復(fù)合，非平衡載流子的壽命不再是個(gè)常數(shù)，它與（）。
下列選項(xiàng)中，對(duì)從石英到單晶硅的工藝流程是（）
直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個(gè)主要階段？（）
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質(zhì)的種類和含量；②雜質(zhì)的分凝效應(yīng)；③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng)；④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污；⑤加入雜質(zhì)量；
用能量（）禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會(huì)產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。
鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括（）
屬于晶體缺陷中面缺陷的是（）