判斷題擴(kuò)散率越大，雜質(zhì)在硅片中的移動速度就越大。
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編寫DRC版圖驗(yàn)證文件的主要依據(jù)是什么？
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從天然硅中獲得達(dá)到生產(chǎn)半導(dǎo)體器件所需純度的SGS要經(jīng)過（）等步驟。
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規(guī)定版圖幾何設(shè)計(jì)規(guī)則的意義是什么？
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硅半導(dǎo)體工藝中的絕緣材料主要來源于硅自身產(chǎn)生的（）材料等。
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利用2μm×6μm的多晶硅柵極覆蓋在4μm×12μm薄氧化層的正中間構(gòu)成一個(gè)MOS管，已知Cox＝5×10-4pF/μm2，估算柵極電容。
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題型：單項(xiàng)選擇題
在晶體材料中，對于長程有序的原子模式最基本的實(shí)體就是（）。
題型：單項(xiàng)選擇題