最新試題
利用2μm×6μm的多晶硅柵極覆蓋在4μm×12μm薄氧化層的正中間構成一個MOS管,已知Cox=5×10-4pF/μm2,估算柵極電容。
題型:問答題
試用電導率為102/(Ω·cm),厚1μm的材料設計1kΩ的電阻,設電阻寬1μm,求其長。
題型:問答題
什么是電阻率?它的單位是什么(國際標準單位制)?
題型:問答題
硅半導體工藝中的絕緣材料主要來源于硅自身產(chǎn)生的()材料等。
題型:多項選擇題
在晶體材料中,對于長程有序的原子模式最基本的實體就是()。
題型:單項選擇題
MOS器件存在哪些二階效應?
題型:問答題
什么是無源電阻?什么是有源電阻?舉例說明。
題型:問答題
集成電容主要有幾種結構?
題型:問答題
由硅片生產(chǎn)的半導體產(chǎn)品,又被稱為()。
題型:多項選擇題
目前集成電路版圖設計的主流工具有哪些?
題型:問答題