最新試題
硅半導體工藝中的絕緣材料主要來源于硅自身產生的()材料等。
題型:多項選擇題
試述兩種傳輸線電感,比較其優(yōu)缺點。
題型:問答題
利用2μm×6μm的多晶硅柵極覆蓋在4μm×12μm薄氧化層的正中間構成一個MOS管,已知Cox=5×10-4pF/μm2,估算柵極電容。
題型:問答題
晶體管的名字取自于()和()兩詞。
題型:多項選擇題
集成電路電阻可以通過()產生。
題型:多項選擇題
為提高CMOS集成電路的抗自鎖能力,可在版圖設計上采取哪些措施?
題型:問答題
在晶體材料中,對于長程有序的原子模式最基本的實體就是()。
題型:單項選擇題
在圖中,若所有的晶體管都工作在飽和區(qū),畫出Vx從一個大的正值下降時Ix的草圖。
題型:問答題
說明MOS器件噪聲的來源、成因及減小方法。
題型:問答題
MOS器件按比例縮小后對器件特性有什么影響?
題型:問答題