名詞解釋濺射鍍膜

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1.名詞解釋物理氣相沉積

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MOS場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）在20世紀(jì)70年代得到了廣泛的接受，從那時(shí)起到現(xiàn)在一直是集成電路的主流晶體管。MOSFET有兩類(lèi)（）和（）。每種類(lèi)型可由各自器件的多數(shù)載流子來(lái)區(qū)別。

題型：多項(xiàng)選擇題

在圖中，若所有的晶體管都工作在飽和區(qū)，求M4的漏電流。

題型：?jiǎn)柎痤}

在圖中，若所有的晶體管都工作在飽和區(qū)，畫(huà)出Vx從一個(gè)大的正值下降時(shí)Ix的草圖。

題型：?jiǎn)柎痤}

由于襯底材料的緣故會(huì)自動(dòng)產(chǎn)生電容，這種電容稱(chēng)為（）。

題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

設(shè)計(jì)一個(gè)CMOS差分放大器電路，寫(xiě)出其對(duì)應(yīng)的SPICE描述語(yǔ)句并作差模電流-電壓特性分析。

題型：?jiǎn)柎痤}

目前集成電路版圖設(shè)計(jì)的主流工具有哪些？

題型：?jiǎn)柎痤}

由硅片生產(chǎn)的半導(dǎo)體產(chǎn)品，又被稱(chēng)為（）。

題型：多項(xiàng)選擇題

編寫(xiě)DRC版圖驗(yàn)證文件的主要依據(jù)是什么？

題型：?jiǎn)柎痤}

材料根據(jù)流經(jīng)材電流的不同可分為三類(lèi)（）。

題型：多項(xiàng)選擇題

把半導(dǎo)體級(jí)硅的多晶硅塊，轉(zhuǎn)換成一塊大的單晶硅的過(guò)程，稱(chēng)作（）。生長(zhǎng)后的單晶硅被稱(chēng)為（）。

題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題