A、淬火+低溫回火
B、調(diào)質(zhì)+表面淬火
C、滲碳+淬火+低溫回火
D、淬火+中溫回火
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
A、M+K
B、P+F
C、B下
D、M+P
A、淬火+低溫回火
B、滲碳+淬火+低溫回火
C、淬火+中溫回火
D、氮化+淬火+低溫回火
A、F+Fe3CIII
B、F+P
C、P+Fe3CII
D、P+Fe3CIII
A、完全退火
B、球化退火
C、再結(jié)晶退火
D、等溫退火
A、F+G
B、F+P+G
C、P+G
D、Ld+G
最新試題
載流子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生擴(kuò)散電流,漂移運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生()電流。
一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs,光照在材料中會(huì)產(chǎn)生非平衡載流子,光照突然停止30µs后,其中非平衡載流子將衰減到原來的()。
雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運(yùn)過程的散射機(jī)構(gòu)中,當(dāng)溫度升高時(shí),電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動(dòng)聲子的散射概率的變化分別是()
鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括()
鑄造多晶硅中氫的主要作用包括()
表面態(tài)中性能級(jí)位于費(fèi)米能級(jí)以上時(shí),該表面態(tài)為();
把磷化鎵在氮?dú)夥罩型嘶穑瑫?huì)有氮取代部分的磷,這會(huì)在磷化鎵中出現(xiàn)()。
直拉法生長(zhǎng)單晶硅拉晶過程有幾個(gè)主要階段?()
用能量()禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會(huì)產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括()