單項選擇題下列諸因素中,哪個是造成45鋼淬火硬度偏低的主要原因()
A、加強溫度低于Ac3
B、加熱溫度高于AC3
C、保溫時間過長
D、冷卻速度大于VK
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1.單項選擇題對片狀馬氏體而言,下列說法哪個是錯誤的()
A、是位錯馬氏體
B、是孿晶馬氏體
C、是過飽和的a固溶體
D、具有高的強度
2.單項選擇題鋼的下列組織中熱穩(wěn)定性最差的是()
A、珠光體
B、馬氏體
C、回火屈氏體
D、回火索氏體
3.單項選擇題鋼件出現(xiàn)下述哪種缺陷時,難以用熱處理來消除()
A、晶內(nèi)偏析
B、纖維組織
C、晶粒粗大
D、網(wǎng)狀滲碳體
4.單項選擇題碳鋼的下列各組織中,哪個是復相組織()
A、珠光體
B、鐵素體
C、滲碳體
D、馬氏體
5.單項選擇題鋼中的二次滲碳體是指從()中析出的滲碳體.
A、從鋼液中析出的
B、從奧氏體中析出的
C、從鐵素中析出的
D、從馬氏體中析出的
最新試題
一塊半導體壽命τ=15µs,光照在材料中會產(chǎn)生非平衡載流子,光照突然停止30µs后,其中非平衡載流子將衰減到原來的()。
題型:單項選擇題
雜質(zhì)半導體中的載流子輸運過程的散射機構中,當溫度升高時,電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是()
題型:單項選擇題
屬于晶體缺陷中面缺陷的是()
題型:單項選擇題
鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括()
題型:單項選擇題
在通常情況下,GaN呈()型結構。
題型:單項選擇題
只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷是()。
題型:單項選擇題
與半導體相比較,絕緣體的價帶電子激發(fā)到導帶所需的能量()
題型:單項選擇題
下列哪個不是單晶常用的晶向()
題型:單項選擇題
如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用,則這種雜質(zhì)稱為()。
題型:單項選擇題
表面態(tài)中性能級位于費米能級以上時,該表面態(tài)為();
題型:單項選擇題