單項(xiàng)選擇題熱鍛模的最終熱處理工藝應(yīng)該是()
A.淬火+低溫回火
B.淬火+中溫回火
C.調(diào)質(zhì)
D.調(diào)質(zhì)后表面淬火
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1.單項(xiàng)選擇題T8鋼奧氏體化后進(jìn)行油淬,其組織為()
A.M
B.M+A殘
C.M+B下+A殘
D.M+T+A殘
2.單項(xiàng)選擇題對亞共析鋼進(jìn)行完全退火,其退火溫度應(yīng)為()
A.低于Ac1溫度
B.高于Ac1溫度而低于Ac3溫度
C.等于Ac3溫度
D.Ac3+30至50度
3.單項(xiàng)選擇題普通灰口鑄鐵組織中,不應(yīng)有下列哪種滲碳體出現(xiàn)?()
A.一次滲碳體
B.二次滲碳體
C.三次滲碳體
D.一次滲碳體和二次滲碳體
4.單項(xiàng)選擇題對過共析鋼不能進(jìn)行下列哪種退火處理()
A.完全退火
B.再結(jié)晶退火
C.等溫退火
D.去應(yīng)力退火
5.單項(xiàng)選擇題對純金屬而言,下列說法哪個是錯誤的()
A.不會在恒溫下結(jié)晶
B.不會發(fā)生相變
C.都能進(jìn)行形變強(qiáng)化
D.都能進(jìn)行時效強(qiáng)化
最新試題
對于同時存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡并半導(dǎo)體,在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時,半導(dǎo)體具有()半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。
題型:單項(xiàng)選擇題
下列哪一個遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量()
題型:單項(xiàng)選擇題
下列選項(xiàng)中,對從石英到單晶硅的工藝流程是()
題型:單項(xiàng)選擇題
最有效的復(fù)合中心能級位置在Ei附近;最有利陷阱作用的能級位置在()附近,常見的是少子陷阱。
題型:單項(xiàng)選擇題
與半導(dǎo)體相比較,絕緣體的價帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量()
題型:單項(xiàng)選擇題
屬于晶體缺陷中面缺陷的是()
題型:單項(xiàng)選擇題
如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用,則這種雜質(zhì)稱為()。
題型:單項(xiàng)選擇題
下列哪個不是單晶常用的晶向()
題型:單項(xiàng)選擇題
懸浮區(qū)熔的優(yōu)點(diǎn)不包括()
題型:單項(xiàng)選擇題
PN結(jié)的基本特性是()
題型:單項(xiàng)選擇題