填空題鐵有三種同素異構體在912度以下時為()立方結構,在912度以上,1394度以下時為面心立方結構,高于1394度而低于熔點時為體心立方結構.
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影響單晶內(nèi)雜質數(shù)量及分布的主要因素是()①原材料中雜質的種類和含量;②雜質的分凝效應;③雜質的蒸發(fā)效應;④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質的沾污;⑤加入雜質量;
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光子傳感器是利用某些半導體材料在入射光的照下,產(chǎn)生().使材料的電學性質發(fā)生變化。通過測量電學性質的變化,可以知道紅外輻射的強弱。光子效應所制成的紅外探測器。
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載流子的擴散運動產(chǎn)生擴散電流,漂移運動產(chǎn)生()電流。
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下列哪個不是單晶常用的晶向()
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那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素()
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把磷化鎵在氮氣氛中退火,會有氮取代部分的磷,這會在磷化鎵中出現(xiàn)()。
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在通常情況下,GaN呈()型結構。
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多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含:()1)冶金法2)硅烷法3)重摻硅廢料提純法4)西門子改良法5)SiCl4法6)氣液沉淀法7)流化床法
題型:單項選擇題
直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個主要階段?()
題型:單項選擇題
改良西門子法的顯著特點不包括()
題型:單項選擇題