單項(xiàng)選擇題目前，在現(xiàn)場對砌體強(qiáng)度進(jìn)行檢測時(shí)，以下哪種方法不適合（）。
A.回彈法
B.扁式法
C.鉆芯法
D.原位軸壓法
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1.單項(xiàng)選擇題砌體結(jié)構(gòu)是指將由塊體和砂漿砌筑而成的（）作為建筑物主要受力構(gòu)件的結(jié)構(gòu)體系。
A.樁基
B.墻、柱
C.梁、板
D.墊層
2.單項(xiàng)選擇題砌體是把塊體（包括粘土磚、空心磚、砌塊、石材等）和（）通過砌筑而成的結(jié)構(gòu)材料。
A.砂漿
B.混凝土
C.泥漿
D.水泥
最新試題
PN結(jié)的基本特性是（）
題型：單項(xiàng)選擇題
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速（）
題型：單項(xiàng)選擇題
那個(gè)不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）
題型：單項(xiàng)選擇題
下列是晶體的是（）。
題型：單項(xiàng)選擇題
在通常情況下，GaN呈（）型結(jié)構(gòu)。
題型：單項(xiàng)選擇題
屬于晶體缺陷中面缺陷的是（）
題型：單項(xiàng)選擇題
改良西門子法的顯著特點(diǎn)不包括（）
題型：單項(xiàng)選擇題
對于同時(shí)存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡并半導(dǎo)體，在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時(shí)，半導(dǎo)體具有（）半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。
題型：單項(xiàng)選擇題
鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括（）
題型：單項(xiàng)選擇題
表面態(tài)中性能級位于費(fèi)米能級以上時(shí)，該表面態(tài)為（）；
題型：單項(xiàng)選擇題